Siliziumdetektor-Vorstufe
Das Vorstufen-Modell 2018EB wandelt die Ladungsträger, die im Detektor durch jedes nukleare Ereignis erzeugt werden, in einen Spannungsimpuls um.
Die ladungsempfindliche FET-Inputvorstufe Modell 2018EB ist für optimale Leistung mit Silizium-Detektoren wie dem Detektor Canberra™ Passivated Implanted Planar Silicon (PIPS®) und älteren Silizium-Oberflächenbarrieren-Detektoren (Silicon Surface Barrier (SBB) austattet. Die Vorstufe wandelt die Ladungsträger, die im Detektor durch jedes nukleare Ereignis erzeugt werden, in einen Spannungsimpuls um. Die Amplitude dieses Spannungsimpulses ist proportional zur gesammelten Ladung im Verhältnis von 0,45 V pro pC. Dies entspricht einer Verstärkung von 20 mV pro MeV für Siliziumdetektoren, wenn sie bei Raumtemperatur betrieben werden.
Ausgegeben wird ein Signal mit positiver Polarität, wenn die Vorstufe mit einem positiv vorgespannten Detektor verwendet wird. Die Energie des Ausgangssignals ist extrem linear und stellt eine ideale Vorstufe für die Energiespektroskopie dar. Von der hohen Ladegeschwindigkeit der Vorstufe zeugt die Energieratenkapazität von 2 x 106 MeV pro Sekunde bei Verwendung mit Siliziumdetektoren. Um dieses hohe Zählraten-Potential voll auszunutzen, sollte ein Hauptverstärker oder MCA mit entsprechend hoher Zählraten-Fähigkeit wie etwa der Analysator Lynx® verwendet werden.
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