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2003BT™

Pré-amplificateur pour détecteurs au silicium

Le pré-amplificateur 2003BT est un pré-amplificateur d’entrée FET sensible à la charge conçu pour offrir des performances optimales avec des détecteurs au silicium, tels que les détecteurs PIPS (Passivated Implanted Planar Silicon) et les anciens détecteurs à barrière de surface en silicium (SSB).

Tag Caractéristiques

  • Conception à faible bruit : moins de 2,0 keV (Si) à 0 pF
  • Capacité taux haute énergie : jusqu’à 2 x 106 MeV par seconde
  • Entrée FET avec protection par diode
  • Sorties indépendantes d’énergie et de synchronisation rapide
  • Temps de montée rapide inférieur à 3 ns à 0 pF
  • Petite taille
  • Capable de fonctionner dans une chambre à vide

Description

Le pré-amplificateur 2003BT est un pré-amplificateur d’entrée FET sensible à la charge conçu pour offrir des performances optimales avec des détecteurs au silicium, tels que les détecteurs PIPS (Passivated Implanted Planar Silicon) et les anciens détecteurs à barrière de surface en silicium (SSB). Fonctionnant comme un convertisseur de charge en tension, l’unité accepte les porteurs de charge produits dans le détecteur lors de chaque événement nucléaire absorbé. La sortie fournit alors une tension en proportion directe de la charge collectée à raison de 0,45 V par pC. Cela se traduit par un gain de 20mV par MeV pour les détecteurs au silicium à température ambiante.

Pour une utilisation standard avec des détecteurs au silicium polarisés positivement, la sortie d’énergie extrêmement linéaire fournit une impulsion de polarité positive idéale pour la spectrométrie d’énergie. La sortie de synchronisation coïncidente fournit une impulsion différenciée rapide de polarité négative idéale pour la résolution d’événements nucléaires dans le temps.

Le taux de charge élevé de la conception est mise en évidence par un taux d'énergie supérieur à 2 x 106 MeV par seconde lors d’une utilisation avec des détecteurs au silicium. Afin de tirer pleinement parti d’une telle capacité de taux de comptage élevé, un amplificateur principal avec une capacité de taux de comptage élevée correspondante, comme l’amplificateur 2025 ou 2026, doit être utilisé.

Le fonctionnement de base du préamplificateur est indiqué dans le schéma fonctionnel. Le premier étage agit comme un intégrateur opérationnel qui produit un potentiel de sortie proportionnel à la charge accumulée sur le condensateur de rétroaction Cf. L’intégrateur commande directement la production d’énergie. La sortie de synchronisation est dérivée du signal d’erreur d’intégrateur via un réseau de mise en forme d’impulsions. Une telle disposition permet des temps de montée faibles et rapides, comme dans le tableau1 (voir la fiche technique). Pour préserver la fidélité des impulsions, la sortie d’énergie est tamponnée par une résistance de terminaison en série de 93 Ω.

Le préamplificateur offre une contribution au bruit de seulement 2,0 keV, LMH, Si, avec un taux d’augmentation avec une meilleure capacité d’entrée de ±10 eV par pF. Toute la puissance nécessaire est fournie par un amplificateur principal Mirion via le câble compatible de 300cm (10pieds) fourni avec le pré-amplificateur.

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